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트랜지스터 속성 곡선 레포트(report)

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작성일 19-05-13 08:38

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만일 베이스와 컬렉터 사이가 역방향으로 바이어스되면 입력特性(특성)곡선은 그림 25-2(a)에서와 같이 오른...

transistor(트랜지스터) 特性(특성)곡선 2

Ⅰ. 목 적

이미터접지 transistor(트랜지스터) 회로에서 입출력 特性(특성)곡선을 實驗적으로 결정하고, 이를 통하여 transistor(트랜지스터) 의 特性(특성)을 이해한다.
그림 25-1 이미터 접지회로

transistor(트랜지스터) 가 활성영역에서 동작하려면 베이스-이미터접합에서는 순방향으로 바이어스가 되어야 하므로, 입력特性(특성)은 다이오드의 순방향 바이어스시의 特性(특성)과 비슷하다. IB=0(베이스 개방)에 대한 곡선은 컬렉터-이미터 사이의 누설전류 ICEO를 표시한다.
Ⅱ. 관 련 이 론

이미터를 공통으로 하고, 베이스와 컬렉터를 각각 입력과 출력으로 하는 이미터접지(common emitter), transistor(트랜지스터) 회로는 전압증폭, 전류증폭, 전력증폭을 할 수 있으므로 가장 많이 사용된다 이미터 접지회로의 몇 가지 중요한 特性(특성)은 입력과 출력에 대한 特性(특성)곡선을 구함으로써 알 수 있다아 그림 25-1은 간단한 이미터 접지회로를 나타낸 것이며, 그림 25-2는 입,출력 特性(특성)곡선을 나타낸 것이다.
이 출력特性(특성)곡선도 역시 세 가지의 영역으로 구분할 수 있다아 이들 중에서 활성영역은 가로축에서 VCE가 0.4~0.7V인 점의 오른쪽과 세로축에서 IB=0인 곡선의 윗부분에 공통으로 속하는 영역이다.
그림 25-1 이미터 접지회로

transistor(트랜지스터) 가 활성영역에서 동작하려면 베이스-이미터접합에서는 순방향으로 바이어스가 되어야 하므로, 입력特性(특성)은 다이오드의 순방향 바이어스시의 特性(특성)과 비슷하다. 만일 transistor(트랜지스터) 증폭기가 큰 일그러짐이 없이 신호를 증폭하려면 transistor(트랜지스터) 의 동…(투비컨티뉴드 )
설명

다.
Ⅱ. 관 련 이 론

이미터를 공통으로 하고, 베이스와 컬렉터를 각각 입력과 출력으로 하는 이미터접지(common emitter), transistor(트랜지스터) 회로는 전압증폭, 전류증폭, 전력증폭을 할 수 있으므로 가장 많이 사용된다 이미터 접지회로의 몇 가지 중요한 特性(특성)은 입력과 출력에 대한 特性(특성)곡선을 구함으로써 알 수 있다아 그림 25-1은 간단한 이미터 접지회로를 나타낸 것이며, 그림 25-2는 입,출력 特性(특성)곡선을 나타낸 것이다. 컬렉터전류 IC는 베이스전류 IB의 change(변화)에 대단히 민감하다.트랜지스터,특성곡선,레포트,공학기술,레포트

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트랜지스터 속성 곡선 레포트(report)

transistor(트랜지스터) 特性(특성)곡선 2

Ⅰ. 목 적

이미터접지 transistor(트랜지스터) 회로에서 입출력 特性(특성)곡선을 實驗적으로 결정하고, 이를 통하여 transistor(트랜지스터) 의 特性(특성)을 이해한다. 만일 베이스와 컬렉터 사이가 역방향으로 바이어스되면 입력特性(특성)곡선은 그림 25-2(a)에서와 같이 오른쪽으로 약간 이동된다 활성영역에서 동작하려면 베이스-컬렉터접합에는 역방향으로 바이어스되어야 하고, 이에 따른 출력特性(특성)곡선은 그림 25-2(b)와 같이 나타나게 된다

(a) 입력特性(특성)곡선
(b) 출력特性(특성)곡선

그림 25-2 이미터 접지회로의 입.출력 特性(특성)곡선(pnptransistor(트랜지스터) )

그림 25-2(b)에서 가로축은 컬렉터-이미터전압 VCE를 표시하고, 세로축은 컬렉터전류 IC를 나타냈으며, 베이스전류 IB를 파라미터로 한 곡선들을 그려 놓았다.

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