실험7예비보고서.이미터 공통 증폭기의 속성
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작성일 20-08-12 03:58
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그림 7-1은 이미터 접지 교루 증폭기로 사용된 NPNtransistor(트랜지스터) 의 회로를 나타낸다 R1 과 R2 fh 구성되는 베이스 바이어스 분압기에 대한 전압원으로 작용한다 입력신로 Vin은 C2를 통해 컬렉터로부터 얻어진다.
오디오 라이도 TV회로 증폭기는 여러 바이어스 조건이 사용된다
transistor(트랜지스터) 증폭기는 직류 또는 교루 전류 및 전압을 증폭하는데 사용된다 본 實驗에서는 교류 전류와 전압 증폭기에 관련되어 實驗한다.
이미 배운 transistor(트랜지스터) 특성(特性) 實驗으로부터 소량의 베이스 전류의 증가로 인한 컬렉터 전류의 alteration(변화) 는 비교적 큼을 알고 있다 또한 소량의 베이스 전류의 감소는 컬렉터 전류의 비교적 큰 감소를 가져온다.
C1dp 의해 베이스 회로에 결합된 입력 신호 전류는 기준 베이스 전류에 중첩되어 베이스 전류를 증가 또는 감소시킨다 그림 7-2의 전류파형은 이와 같은 상태를 나타낸다 바이어스 전류 IB가 100마이크로 암페어 이고 ib는 정현파 교류 전류 라고 가정하자 한주기…(투비컨티뉴드 )
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다. CE접속에서 transistor(트랜지스터) 의 전류이득 베타는 다음과 같이 definition 된다
(7-1)
베타가 얻어진 바이어스 조건은 다음과 같았다
1)이미터 베이스 접합은 순방향 바이어스 되었다.
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실험결과/기타
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설명
순서
實驗7.이미터 공통 증폭기의 특성(特性)(예비보고서)
1.實驗목적
1)이미터 공통 증폭기의 전압 이득을 측정(測定) 한다
2)증폭기 dlelmr에 대한 이미터 바이패스 커패시터의 influence을 관측한다
3)CE증폭기의 입력 및 출력 임피던스를 측정(測定) 한다
4)CE증폭기의 전력 이득을 측정(測定) 한다
2.기초theory
교류 증폭기로서의 transistor(트랜지스터)
實驗 6에서 관찰한 바와 같이 CE회로에 접속된 transistor(트랜지스터) 의 베이스 전류는 컬렉터 전류를 제어한다. 또한 베이스 회로와 컬렉터 회로에서는 전류는 동상이다. 도한 컬렉터 베이스 간 전압의 상승에 대한 컬렉터 전류의 증가는 베이스 전류의 증가보다 훨씬 컸다.
2)컬렉터 베이스 접합은 역방향 바이어스 되었다.
