[전자재료실험] MOS Capacitor
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작성일 19-05-31 21:46
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실험결과/전기전자
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다.
3. 實驗(실험)이론(理論)
Si-wafer
① Si의 特性(특성)
실리콘은 일반적으로 규소-규소 결합이 아주 불안정하기 때문에 산화물 실리콘(SiO2)으로 모래, 암석, 광물 등의 형태로 존재한다. 오늘날과 같은 디지털정보사회가 되기까지 마이크로프로세서와 같은 디지털 기술이 성장에 발맞추어 MOSFET기술 또한 빠르게 발전해 왔다. 이는 이전 트랜지스터에 비해 저렴한 생산비와 기술적 이점을 가졌으며 성능 또한 우수해 전자공학에서 주도적인 역할을 차지하게 되었다.
2. 實驗(실험) 배경
1960년에 벨 연구소의 연구진은 금속 산화막 반도체 전계效果 트랜지스터(MOSFET)을 발명했다.[전자재료실험] MOS Capacitor , [전자재료실험] MOS Capacitor전기전자실험결과 , [전자재료실험] MOS Capacitor
- 목차 -
1. 實驗(실험) 목적
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p. 2
2. 實驗(실험) 배경
···········
p. 2
3. 實驗(실험) 이론(理論)
···········
p. 2
① Si의 特性(특성)
···········
p. 2
② MOS Capacitor
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p. 3
③ E-Beam의 구조와 증착원리
···········
p. 8
4. 實驗(실험) 방법
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p. 9
5. 결과 예측
···········
p. 11
6. 결과 分析
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p. 12
① C-V 결과 分析
···········
p. 12
② I-V 결과 分析
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p. 16
7. conclusion
···········
p. 19
8. Reference List
···········
p. 19
1. 實驗(실험) 목적
MOS capacitor를 직접 제작하면서 그 공정을 이해하고, dielectric material의 두께 및 electrode의 ...
- 목차 -
1. 實驗(실험) 목적
···········
p. 2
2. 實驗(실험) 배경
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p. 2
3. 實驗(실험) 이론(理論)
···········
p. 2
① Si의 特性(특성)
···········
p. 2
② MOS Capacitor
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p. 3
③ E-Beam의 구조와 증착원리
···········
p. 8
4. 實驗(실험) 방법
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p. 9
5. 결과 예측
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p. 11
6. 결과 分析
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p. 12
① C-V 결과 分析
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p. 12
② I-V 결과 分析
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p. 16
7. conclusion
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p. 19
8. Reference List
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p. 19
1. 實驗(실험) 목적
MOS capacitor를 직접 제작하면서 그 공정을 이해하고, dielectric material의 두께 및 electrode의 크기를 변수로 두고 C-V와 I-V를 측정(測定) 하여 각각의 변수가 어떤 影響을 미치는지에 대하여 分析해 본다. 이러한 MOSFET의 바탕이 되는 MOS를 이용한 cpacitor 즉 MOS capacitor는 유전체로써 oxide를 사용하였기 때문에 붙여진 이름이며 이번 實驗(실험)에서 제작할 소자이다.
