실험9결과보고서. MOSFET 소스 공통 증폭기
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작성일 19-11-10 22:21
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Ⅱ. test(실험) 결과 및 分析(분석)
드레인 characteristic(특성)(게이트 제어) test(실험) 은 아래와 같은 회로를 구성하고 게이트 전압가 -0.8V~0.8V로 변할 때, 를 0V~15V로 alteration(변화) 시키면서 드레인 전류 를 측정(measurement)한다.
test(실험) 한 결과를 아래의 표로 정리(arrangement)하고, 이를 이용하여 characteristic(특성)곡선을 그려보았다. 이를 통 하여 게이트 전압 에 제어 될 때, characteristic(특성)곡선이 어떻게 되는지 알아보는 test(실험) 이 다.
순서
실험9결과보고서. MOSFET 소스 공통 증폭기
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설명
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실험결과/기타
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`test(실험) 9. MOSFET 소스 공통 증폭기`
결과보고서
Ⅰ. test(실험) 목적
1. MOSFET의 드레인(drain)characteristic(특성)을 test(실험) 적으로 결정한다.
3. MOSFET 소스 공통 증폭기의 전압 이득을 측정(measurement)한다. 이를 통 하여 게이트 전압 에 제어 될 때, characteristic(특성)곡선이 어떻게 되는지 알아보는 test(실험) 이 다.
아래의 오른쪽 그래프는 Pspice를 통해 얻은 드레인 characteristic(특성)곡선 그래프이다.
Ⅱ. test(실험) 결과 및 分析(분석)
드레인 characteristic(특성)(게이트 제어) test(실험) 은 아래와 같은 회로를 구성하고 게이트 전압가 -0.8V~0.8V로 변할 때, 를 0V~15V로 alteration(변화) 시키면서 드레인 전류 를 측정(measurement)한다.
3. MOSFET 소스 공통 증폭기의 전압 이득을 측정(measurement)한다.
2. FET 증폭기에 대한 바이어스 방식을 공부한다.
test(실험) 한 결과를 아래의 표로 정리(arrangement)하고, 이를 이용하여 characteristic(특성)곡선을 그려보았다.
2. FET 증폭기에 대한 바이어스 방식을 공부한다.
VDS, V
ID, mA
0
1
3
5
7
9
11
13
15
VGS, V
-0.8
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
-0.7
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
-0.6
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
-0.5
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
-0.4
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
-0.3
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
-0.2
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
-…(생략(省略))
실험9결과보고서. MOSFET 소스 공통 증폭기
다.
VDS, V
ID, mA
0
1
3
5
7
9
11
...
`test(실험) 9. MOSFET 소스 공통 증폭기`
결과보고서
Ⅰ. test(실험) 목적
1. MOSFET의 드레인(drain)characteristic(특성)을 test(실험) 적으로 결정한다.
아래의 오른쪽 그래프는 Pspice를 통해 얻은 드레인 characteristic(특성)곡선 그래프이다.
