트랜지스터 조사 관련 report
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작성일 19-05-13 01:39
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마이너스 전압 측을 접지로, 플러스 전압 측을 전원으로 하는 회로의 경우, NPN타입 쪽이 사용하기 쉽다. 아날로그 회로에서는 매우 많은 종류의 transistor가 사용되지만 디지털 회로에서는 그다지 많은 종류는 사용하지 않는다.
② IE : 이미터에서 베이스 속으로 들어간 전자의 양에 상당하는 전류
③ IB : 베이스 속으로 들어간 전자중 C-B접합면까지 도달하지 못한 전자의 양에 상당하는 전류
④ IC : 컬렉터 속으로 들어간 전자의 양에 상당하는 전류
쌍극성 접합 transistor (Bipolar Junction Transistor : BJT)
접합형 transistor는 1947년 Bell 연구소에서 존 바딘, 월터 브래튼 그리고 윌리엄 쇼클리에 의해 발명되었다.
transistor는 반도체의 조합에 따라 크게 PNP 타입과 NPN 타입이 있다아
(PNP 타입과 NPN 타입에서는 전류의 방향이 다르다.
- C와 E사이의 역방향 전압 VCE에 의해 E에서 B쪽으로 가던전자의 대부분이 C쪽의높은
전압 에 끌려서 전류가 흐르게 된다
- PNP형과는 전지 연결이 반대 극성이다.레포트/공학기술
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transistor
transistor는 기본적으로는 전류를 증폭할 수 있는 부품이다.
transistor의 구조와 동작
1) transistor의 내부
① p형과 n형의 3층구조
② transistor의 구조와 기호
- 이미터(emitter : E) : 전류의 반송자로 주입하는 전류
- 베이스(base : B) : 주입된 반송자를 제어하는 전류 공급
- 컬렉터(collectoer : C) : 전류의 반송자를 모으는 부분의 전극
2) transistor에 흐르는 전류
[전압을 가하는 방법]
① B와 E간의 pn접합면 VBE→순방향 전압
②C와 B간의 pn접합면 VCE→역방향 전압
3) 내부에서 전자의 움직임
① NPN형 transistor의 동작
- B와 E사이의 순방향 전압VBE에 의해 E의 전자가 B로 이동한다.
transistor는 반도체의 조합에 따라 크게 PNP 타입과 NPN 타입이 있다아
(PNP 타입과 NPN 타입에서는 전류의 방향이 다르다. 아날로그 회로에서는 매우 많은 종류의 transistor가 사용되지만 디지털 회로에서는 그다지 많은 종류는 사용하지 않는다.
transistor의 구조와 동작
1) transistor의 내부
① p형과 n형의 3층구조
② transistor의 구조와 기호
- 이미터(emitter : E) : 전류의 반송자로 주입하는 전류
- 베이스(base : B) : 주입된 반송자를 제어하는 전류 공급
- 컬렉터(collectoer : C) : 전류의 반송자를 모으는 부분의 전극
2) transistor에 흐르는 전류
[전압을 가하는 방법]
① B와 E간의 ...
transistor
transistor는 기본적으로는 전류를 증폭할 수 있는 부품이다. 오늘날 집적회로에서 CMOS …(drop)
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마이너스 전압 측을 접지로, 플러스 전압 측을 전원으로 하는 회로의 경우, NPN타입 쪽이 사용하기 쉽다.
